Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08SD60S-M3

KEY Part #: K6453017

VS-HFA08SD60S-M3 Цэнаўтварэнне (USD) [40837шт шт]

  • 1 pcs$0.92818
  • 10 pcs$0.83495
  • 25 pcs$0.78787
  • 100 pcs$0.67122
  • 250 pcs$0.63024
  • 500 pcs$0.55146
  • 1,000 pcs$0.45692
  • 2,500 pcs$0.42541

Частка нумар:
VS-HFA08SD60S-M3
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08SD60S-M3. VS-HFA08SD60S-M3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08SD60S-M3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-HFA08SD60S-M3
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA
Серыя : HEXFRED®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 55ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет прылад пастаўшчыка : D-PAK (TO-252AA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns