SB007-03Q-TL-E Цэнаўтварэнне (USD) [1129485шт шт]
- 1 pcs$0.03275
- 9,000 pcs$0.03095
- Частка нумар:
- SB007-03Q-TL-E
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE 70MA 30V
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor SB007-03Q-TL-E. SB007-03Q-TL-E можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SB007-03Q-TL-E Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SB007-03Q-TL-E
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3MCP
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
30V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
70mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
550mV @ 70mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
10ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 15V
Ёмістасць @ Vr, F :
3pF @ 10V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SC-70, SOT-323
Пакет прылад пастаўшчыка :
3-MCP
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 125°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Гарачыя часткі
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97