JANTXV1N5807 Цэнаўтварэнне (USD) [5070шт шт]
- 1 pcs$8.58515
- 102 pcs$8.54244
- Частка нумар:
- JANTXV1N5807
- Вытворца:
- Microsemi Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 50V HRV 6FFTV
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - TRIAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTXV1N5807. JANTXV1N5807 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
JANTXV1N5807 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
JANTXV1N5807
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Серыя :
Military, MIL-PRF-19500/477
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
875mV @ 4A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
30ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
65pF @ 10V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
B, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
SS1FL4-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 40V DO-219AB Ifsm 40A
-
SS1FL3HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified
-
-
SS2FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G