Diodes Incorporated - DMN601DWK-7

KEY Part #: K6525064

DMN601DWK-7 Цэнаўтварэнне (USD) [580156шт шт]

  • 1 pcs$0.06375
  • 3,000 pcs$0.05743

Частка нумар:
DMN601DWK-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN601DWK-7. DMN601DWK-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN601DWK-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN601DWK-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 50pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 200mW
Працоўная тэмпература : -65°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-363

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.