Diodes Incorporated - DMG9N65CT

KEY Part #: K6396071

DMG9N65CT Цэнаўтварэнне (USD) [65693шт шт]

  • 1 pcs$0.26103
  • 50 pcs$0.21713
  • 100 pcs$0.17722
  • 500 pcs$0.14009
  • 1,000 pcs$0.11207

Частка нумар:
DMG9N65CT
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMG9N65CT. DMG9N65CT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG9N65CT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMG9N65CT
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2310pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 165W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў