STMicroelectronics - STTH802D

KEY Part #: K6447590

STTH802D Цэнаўтварэнне (USD) [105080шт шт]

  • 1 pcs$0.40138
  • 10 pcs$0.33420
  • 100 pcs$0.25636
  • 500 pcs$0.20265
  • 1,000 pcs$0.16212

Частка нумар:
STTH802D
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC. Rectifiers ULTRAFAST RECOVERY DIODE
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STTH802D. STTH802D можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STTH802D Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STTH802D
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.05V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 30ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 6µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC
Працоўная тэмпература - развязка : 175°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MA3X78600L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • MA3X74800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

  • EGL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.