Microsemi Corporation - APT20SCD65K

KEY Part #: K6444038

APT20SCD65K Цэнаўтварэнне (USD) [2587шт шт]

  • 70 pcs$3.47360

Частка нумар:
APT20SCD65K
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE SILICON 650V 32A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT20SCD65K. APT20SCD65K можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20SCD65K Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT20SCD65K
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE SILICON 650V 32A TO220
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 32A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.8V @ 20A
Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 400µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F : 680pF @ 100mV, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 [K]
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.