ON Semiconductor - NTLJD3115PTAG

KEY Part #: K6524363

[3856шт шт]


    Частка нумар:
    NTLJD3115PTAG
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTLJD3115PTAG. NTLJD3115PTAG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTLJD3115PTAG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NTLJD3115PTAG
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 P-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 531pF @ 10V
    Магутнасць - Макс : 710mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 6-WDFN Exposed Pad
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-WDFN (2x2)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў