Microsemi Corporation - JANTX1N757A-1

KEY Part #: K6479701

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Модулі драйвераў харчавання ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTX1N757A-1. JANTX1N757A-1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JANTX1N757A-1

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/127

Статус часткі : Active

Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) : 9.1V

Талерантнасць : ±5%

Магутнасць - Макс : 500mW

Імпеданс (макс.) (Zzt) : 6 Ohms

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 7V

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 200mA

Працоўная тэмпература : -65°C ~ 175°C

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35 (DO-204AH)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

BAR43C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.
BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array