Taiwan Semiconductor Corporation - ES1BHM2G

KEY Part #: K6426650

ES1BHM2G Цэнаўтварэнне (USD) [1206416шт шт]

  • 1 pcs$0.03066

Частка нумар:
ES1BHM2G
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 35ns 1A 100V Sp Fst Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation ES1BHM2G. ES1BHM2G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1BHM2G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ES1BHM2G
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 950mV @ 1A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • NRVBS360BT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 60V SCHOTTKY SMB

  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS1BB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 100V

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V