Частка нумар :
GB01SLT12-220
Вытворца :
GeneSiC Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.8V @ 1A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
2µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220AC
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C