Vishay Semiconductor Diodes Division - BAT46W-HE3-08

KEY Part #: K6439911

BAT46W-HE3-08 Цэнаўтварэнне (USD) [1139670шт шт]

  • 1 pcs$0.03245
  • 3,000 pcs$0.03056
  • 6,000 pcs$0.02751
  • 15,000 pcs$0.02445
  • 30,000 pcs$0.02292
  • 75,000 pcs$0.02038

Частка нумар:
BAT46W-HE3-08
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 100Volt 150mA 750mA AUTO
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BAT46W-HE3-08. BAT46W-HE3-08 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT46W-HE3-08 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BAT46W-HE3-08
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 150mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 250mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F : 6pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SOD-123
Пакет прылад пастаўшчыка : SOD-123
Працоўная тэмпература - развязка : 125°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns