RGP10BE-E3/91 Цэнаўтварэнне (USD) [2754шт шт]
- 12,500 pcs$0.04926
- Частка нумар:
- RGP10BE-E3/91
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10BE-E3/91. RGP10BE-E3/91 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RGP10BE-E3/91 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RGP10BE-E3/91
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Статус часткі :
Obsolete
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
150ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-204AL (DO-41)
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.
-
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Гарачыя часткі
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73