Частка нумар :
FF50R12RT4HOSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IGBT MODULE 1200V 50A
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
50A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
2.8nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module