Infineon Technologies - DF150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6534603

DF150R12RT4HOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [1794шт шт]

  • 1 pcs$24.13654

Частка нумар:
DF150R12RT4HOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1. DF150R12RT4HOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF150R12RT4HOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DF150R12RT4HOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench Field Stop
Канфігурацыя : Single Chopper
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 150A
Магутнасць - Макс : 790W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.