Rohm Semiconductor - QS6M4TR

KEY Part #: K6523025

QS6M4TR Цэнаўтварэнне (USD) [457093шт шт]

  • 1 pcs$0.08946
  • 3,000 pcs$0.08901

Частка нумар:
QS6M4TR
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor QS6M4TR. QS6M4TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS6M4TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : QS6M4TR
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N and P-Channel
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V, 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 80pF @ 10V
Магутнасць - Макс : 1.25W
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет прылад пастаўшчыка : TSMT6 (SC-95)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.