Infineon Technologies - IPD95R1K2P7ATMA1

KEY Part #: K6403607

IPD95R1K2P7ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [123674шт шт]

  • 1 pcs$0.29907

Частка нумар:
IPD95R1K2P7ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 950V 6A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1. IPD95R1K2P7ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD95R1K2P7ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPD95R1K2P7ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 950V 6A TO252
Серыя : CoolMOS™ P7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 950V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 140µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 478pF @ 400V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 52W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO252-3
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.

  • FQD12N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.

  • FDD8N50NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK.