Diodes Incorporated - DMN2026UVT-7

KEY Part #: K6395197

DMN2026UVT-7 Цэнаўтварэнне (USD) [602741шт шт]

  • 1 pcs$0.06137
  • 3,000 pcs$0.05528

Частка нумар:
DMN2026UVT-7
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMN2026UVT-7. DMN2026UVT-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2026UVT-7 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMN2026UVT-7
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18.4nC @ 8V
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 887pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.15W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TSOT-26
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.