GeneSiC Semiconductor - MBRT60035R

KEY Part #: K6468476

Падрабязнае апісанне:: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 35P/25R

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Тырыстары - SCR ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBRT60035R. MBRT60035R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MBRT60035R

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode

Дыёдны тып : Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 35V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 600A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 750mV @ 300A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1mA @ 20V

Працоўная тэмпература - развязка : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Three Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

2N5246

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 7MA TO92.
2N5953

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 5MA TO92.
J304_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA TO92.
2N5951_D27Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 13MA TO92.
BF245C_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 25MA TO92.
LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

Гарачыя часткі