Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - масівы
  5. MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor - MSRT200160(A)

KEY Part #: K6469969

MSRT200160(A) Цэнаўтварэнне (USD) [1958шт шт]

  • 1 pcs$23.10929
  • 25 pcs$22.99432
Частка нумар:
MSRT200160(A)
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A). MSRT200160(A) можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT200160(A) Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MSRT200160(A)
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Cathode
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 200A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
Працоўная тэмпература - развязка : -
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Three Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RB550EATR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TSMD5. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 30V 0.7A 5PIN SMD

  • UMR12NTN

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 80V 200MA

  • RB541XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY SMLL SIG 30V.1A3PIN

  • RB731XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER

  • UMN20NTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCHING 80V 0.1A 6PIN UMD

  • TBAV99,LM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode

Гарачыя часткі