ON Semiconductor - NVD3055-150T4G-VF01

KEY Part #: K6392820

NVD3055-150T4G-VF01 Цэнаўтварэнне (USD) [366692шт шт]

  • 1 pcs$0.10137
  • 2,500 pcs$0.10087

Частка нумар:
NVD3055-150T4G-VF01
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVD3055-150T4G-VF01. NVD3055-150T4G-VF01 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVD3055-150T4G-VF01 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVD3055-150T4G-VF01
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 280pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў