ON Semiconductor - NTGD3149CT1G

KEY Part #: K6524245

[3896шт шт]


    Частка нумар:
    NTGD3149CT1G
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTGD3149CT1G. NTGD3149CT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTGD3149CT1G Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NTGD3149CT1G
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N and P-Channel
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.2A, 2.4A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 387pF @ 10V
    Магутнасць - Макс : 900mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў