Microsemi Corporation - APTGF150A120T3AG

KEY Part #: K6533716

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTGF150A120T3AG. APTGF150A120T3AG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : APTGF150A120T3AG

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып IGBT : NPT

Канфігурацыя : Half Bridge

Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V

Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 210A

Магутнасць - Макс : 1041W

Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 150A

Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 250µA

Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V

Увод : Standard

NTC-цеплавізатар : Yes

Працоўная тэмпература : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : SP3

Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.
VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.
VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 111A 447W SOT-227.
VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.
VS-GB100DA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE IGBT SOT-227.

Гарачыя часткі