Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41T-E3/1

KEY Part #: K6448428

[1086шт шт]


    Частка нумар:
    GL41T-E3/1
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Модулі драйвераў харчавання ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GL41T-E3/1. GL41T-E3/1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GL41T-E3/1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : GL41T-E3/1
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
    Серыя : SUPERECTIFIER®
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1300V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 1A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 1300V
    Ёмістасць @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : DO-213AB, MELF (Glass)
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-213AB
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • DGS17-03CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA.

    • MMBD914_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • MMBD1401_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • GL41T-E3/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.

    • VFT2045BP-M3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V TrenchMOS

    • CUS02(TE85L,Q,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A 0.45V VFM