Infineon Technologies - IPP030N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6416352

IPP030N10N3GXKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [14062шт шт]

  • 1 pcs$2.53402
  • 10 pcs$2.26123
  • 100 pcs$1.85411
  • 500 pcs$1.50136
  • 1,000 pcs$1.26621

Частка нумар:
IPP030N10N3GXKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1. IPP030N10N3GXKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP030N10N3GXKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP030N10N3GXKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 275µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 14800pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.