Microsemi Corporation - JAN1N1204AR

KEY Part #: K6444808

JAN1N1204AR Цэнаўтварэнне (USD) [2191шт шт]

  • 1 pcs$19.76855

Частка нумар:
JAN1N1204AR
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N1204AR. JAN1N1204AR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N1204AR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JAN1N1204AR
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/260
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard, Reverse Polarity
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 12A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.35V @ 38A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-203AA (DO-4)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SRP600K-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 6A P600.

  • SRP600B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • US1MHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC.

  • US1JHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC.