GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-220

KEY Part #: K6444956

Падрабязнае апісанне:: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220. GB10SLT12-220 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : GB10SLT12-220

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 10A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.8V @ 10A

Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 40µA @ 1200V

Ёмістасць @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : TO-220-2

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Гарачыя часткі