Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ
  5. BLF8G10LS-300PJ

Ampleon USA Inc. - BLF8G10LS-300PJ

KEY Part #: K6466475

BLF8G10LS-300PJ Цэнаўтварэнне (USD) [1106шт шт]

  • 1 pcs$55.82397
  • 100 pcs$55.54624
Частка нумар:
BLF8G10LS-300PJ
Вытворца:
Ampleon USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLF8G10LS-300PJ. BLF8G10LS-300PJ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLF8G10LS-300PJ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLF8G10LS-300PJ
Вытворца : Ampleon USA Inc.
Апісанне : RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып транзістара : LDMOS (Dual), Common Source
Частата : 760.5MHz ~ 800.5MHz
Ўзмоцніць : 20.5dB
Напружанне - тэст : 28V
Бягучы рэйтынг : -
Фігура шуму : -
Ток - тэст : 2A
Магутнасць - выхад : 65W
Напружанне - Намінальны : 65V
Пакет / футляр : SOT539B
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT539B
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2SK3079ATE12LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSF RF N CH 10V PW-X.

  • STAC4932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

  • STAC2942FW

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B.

  • STAC2932FW

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B.

  • STAC2932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

  • PD55008S-E

    STMicroelectronics

    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.

Гарачыя часткі