Апісанне :
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
400pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
54W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263 (IXTA)
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB