Sanken - EM 2BV0

KEY Part #: K6430114

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Sanken EM 2BV0. EM 2BV0 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : EM 2BV0

Вытворца : Sanken

Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.2A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 920mV @ 1.2A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 800V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : -

Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

SICRD5650TR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
SICRD101200TR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
SS8PH9HM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 90V 8A TO277A.
V12P12-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 120 Volt
AS3PGHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM
VS-6ESH01-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

Гарачыя часткі