IDC08D120T6MX1SA2 Цэнаўтварэнне (USD) [62346шт шт]
- 1 pcs$0.62715
- Частка нумар:
- IDC08D120T6MX1SA2
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IDC08D120T6MX1SA2. IDC08D120T6MX1SA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
IDC08D120T6MX1SA2 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
IDC08D120T6MX1SA2
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
2.05V @ 10A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
2.7µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
Die
Пакет прылад пастаўшчыка :
Sawn on foil
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
SD103BW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM AUTO
-
BAT42W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G