BZT52B3V3-G RHG Цэнаўтварэнне (USD) [1982646шт шт]
- 1 pcs$0.01866
- Частка нумар:
- BZT52B3V3-G RHG
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G RHG. BZT52B3V3-G RHG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BZT52B3V3-G RHG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BZT52B3V3-G RHG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) :
3.3V
Талерантнасць :
±2%
Магутнасць - Макс :
410mW
Імпеданс (макс.) (Zzt) :
95 Ohms
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 1V
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
900mV @ 10mA
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SOD-123
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOD-123
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1N4754G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 39V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio
-
1N4747G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 20V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio
-
1N4732G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio
-
BZX79B47 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 47V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 2% Sm Signal Znr Diode
-
1N5231B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 5% Sm Signal Znr Diode
-
BZX79B9V1 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 2% Sm Signal Znr Diode
Гарачыя часткі
- MM3Z12VST1
- 1N5364B
- 1N4781
- JANTXV1N3826CUR-1
- JAN1N6319CUS
- JAN1N6311CUS
- JAN1N3025D-1
- MAZ20620AG
- PZM9.1NB1,115
- 1N4891
- BZG03B91TR
- JANTXV1N6332US
- JAN1N4488US
- 1N5233A (DO-35)
- 1N5914CP/TR8
- 1N4730APE3/TR8
- CDLL5946C
- SMBG4753A/TR13
- SMAJ4487E3/TR13
- 1N5915CP/TR12
- 1N5380AE3/TR12
- CZRNC55C62-G
- PTV33B-E3/84A
- PZM4.3NB,115
- BZX55C36_T50A
- 1N5246B_S00Z
- 1N5756C
- CDLL973A
- 1N6009A
- 1N5745B
- BZX84C5V6-E3-08
- MMBZ5240C-G3-08
- TZM5252C-GS08
- TZM5256C-GS18
- BZT55B4V7-GS08
- BZX84B30-G3-18
- MMBZ4619-G3-18
- MMBZ5246B-E3-18
- TLZ4V7B-GS08
- TLZ15-GS08