VS-20ETF12SLHM3 Цэнаўтварэнне (USD) [45816шт шт]
- 1 pcs$0.85343
- Частка нумар:
- VS-20ETF12SLHM3
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODES - D2PAK-E3. Rectifiers 20A If; 1200V Vr TO-263AB (D2PAK)
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETF12SLHM3. VS-20ETF12SLHM3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
VS-20ETF12SLHM3 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
VS-20ETF12SLHM3
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODES - D2PAK-E3
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
20A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.31V @ 20A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
400ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263 (D2Pak)
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G