Частка нумар :
BSM75GAR120DN2HOSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус часткі :
Not For New Designs
Тып IGBT :
Trench Field Stop
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
30A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 15A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
400µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
1nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module