RS1ALHM2G Цэнаўтварэнне (USD) [2000457шт шт]
- 1 pcs$0.01849
- Частка нумар:
- RS1ALHM2G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation RS1ALHM2G. RS1ALHM2G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RS1ALHM2G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RS1ALHM2G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
800mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 800mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
150ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
Sub SMA
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
NSB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
MBRB760-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5 Amp 60 Volt
-
NSB8MT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
-
MBRB1635-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 35 Volt
-
MBRB1045-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 45 Volt
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G