Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
13.5A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
120nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
8237pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOIC
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)