Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP02-16EHE3/53

KEY Part #: K6446283

[1819шт шт]


    Частка нумар:
    RGP02-16EHE3/53
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GP 1.6KV 500MA DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RGP02-16EHE3/53. RGP02-16EHE3/53 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP02-16EHE3/53 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : RGP02-16EHE3/53
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GP 1.6KV 500MA DO204AL
    Серыя : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 500mA
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.8V @ 100mA
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 300ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 1600V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-204AL (DO-41)
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • MMBD1202

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWF12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VS-8EWF12STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VT2080SHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO220AB.

    • VS-20ATS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB.

    • VSB1545-M3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.