Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH3007THN3

KEY Part #: K6444056

VS-ETH3007THN3 Цэнаўтварэнне (USD) [53440шт шт]

  • 1 pcs$0.71077
  • 10 pcs$0.63969
  • 25 pcs$0.60357
  • 100 pcs$0.51430
  • 250 pcs$0.48291
  • 500 pcs$0.42254
  • 1,000 pcs$0.33118
  • 2,500 pcs$0.30834
  • 5,000 pcs$0.30454

Частка нумар:
VS-ETH3007THN3
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC. Rectifiers 650V 30A FRED Pt TO-220 2L
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH3007THN3. VS-ETH3007THN3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH3007THN3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-ETH3007THN3
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
Серыя : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 30A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 2.1V @ 30A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 37ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 30µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.