Microsemi Corporation - JAN1N3766R

KEY Part #: K6443513

JAN1N3766R Цэнаўтварэнне (USD) [1431шт шт]

  • 1 pcs$30.39572
  • 100 pcs$30.24450

Частка нумар:
JAN1N3766R
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N3766R. JAN1N3766R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3766R Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JAN1N3766R
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/297
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard, Reverse Polarity
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 35A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.4V @ 110A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AB, DO-5, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-5
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • SCS212AJTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK

  • SCS210AJHRTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V10150S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB.