Infineon Technologies - IRLHS6276TR2PBF

KEY Part #: K6523468

[4154шт шт]


    Частка нумар:
    IRLHS6276TR2PBF
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF. IRLHS6276TR2PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLHS6276TR2PBF Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IRLHS6276TR2PBF
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
    Серыя : HEXFET®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 310pF @ 10V
    Магутнасць - Макс : 1.5W
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 6-PowerVDFN
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-PQFN Dual (2x2)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў