GeneSiC Semiconductor - MBR50060CT

KEY Part #: K6468540

MBR50060CT Цэнаўтварэнне (USD) [1106шт шт]

  • 1 pcs$39.14459
  • 25 pcs$30.25015

Частка нумар:
MBR50060CT
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBR50060CT. MBR50060CT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR50060CT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MBR50060CT
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Cathode
Дыёдны тып : Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 500A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 800mV @ 250A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1mA @ 20V
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Twin Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Twin Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAT240AE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 240V SOT23.

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.