RFN10NS6STL Цэнаўтварэнне (USD) [135537шт шт]
- 1 pcs$0.30169
- 1,000 pcs$0.30018
- Частка нумар:
- RFN10NS6STL
- Вытворца:
- Rohm Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 10A
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RFN10NS6STL. RFN10NS6STL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RFN10NS6STL Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RFN10NS6STL
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.55V @ 10A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
LPDS
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
CDSV-19-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA 200mW
-
CDSV-21-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW
-
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A, 45V, TMBS
-
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 50V,TRENCH SKY RECT.
-
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A