Infineon Technologies - BSZ0901NSATMA1

KEY Part #: K6420466

BSZ0901NSATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [196688шт шт]

  • 1 pcs$0.18805

Частка нумар:
BSZ0901NSATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V S308.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSZ0901NSATMA1. BSZ0901NSATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0901NSATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSZ0901NSATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 30V S308
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2850pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSDSON-8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў