ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1-TR

KEY Part #: K936913

IS46R16320E-6BLA1-TR Цэнаўтварэнне (USD) [15370шт шт]

  • 1 pcs$2.98124

Частка нумар:
IS46R16320E-6BLA1-TR
Вытворца:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Лінейныя - аналагавыя множнікі, дзельнікі, PMIC - Рэгулятары напружання - Кантролеры пераключ, PMIC - Напружанне, Інтэрфейс - датчык, ёмісты сэнсарны, Гадзіннік / таймінг - генератары гадзінніка, PLL, , Лінейныя - узмацняльнікі - прыборы, АП, буферныя ў, Збор дадзеных - Кантролеры з сэнсарным экранам and Логіка - генератары парыльнасці і шашкі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1-TR. IS46R16320E-6BLA1-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA1-TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IS46R16320E-6BLA1-TR
Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - DDR
Памер памяці : 512Mb (32M x 16)
Тактовая частата : 166MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 700ps
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 2.3V ~ 2.7V
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 60-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 60-TFBGA (13x8)

Апошнія навіны

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16