ES3DBHM4G Цэнаўтварэнне (USD) [501481шт шт]
- 1 pcs$0.07376
- Частка нумар:
- ES3DBHM4G
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation ES3DBHM4G. ES3DBHM4G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
ES3DBHM4G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
ES3DBHM4G
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1V @ 3A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
46pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AA (SMB)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
APT15DQ100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, TO-220, RoHS
-
APT15D120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
-
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
-
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18