Частка нумар :
BSF083N03LQ G
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
13A (Ta), 53A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1800pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
MG-WDSON-2, CanPAK M™