VS-HFA08TB120S-M3 Цэнаўтварэнне (USD) [61527шт шт]
- 1 pcs$0.63551
- Частка нумар:
- VS-HFA08TB120S-M3
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3. VS-HFA08TB120S-M3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
VS-HFA08TB120S-M3 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
VS-HFA08TB120S-M3
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK
Серыя :
HEXFRED®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
4.3V @ 16A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
95ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263AB (D²PAK)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-5EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast
-
VS-APH3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast
-
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred
-
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08