NXP USA Inc. - PMN50XP,165

KEY Part #: K6400120

[3507шт шт]


    Частка нумар:
    PMN50XP,165
    Вытворца:
    NXP USA Inc.
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах NXP USA Inc. PMN50XP,165. PMN50XP,165 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMN50XP,165 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : PMN50XP,165
    Вытворца : NXP USA Inc.
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
    Серыя : TrenchMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.8A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
    Vgs (макс.) : ±12V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1020pF @ 20V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.2W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
    Пакет / футляр : SC-74, SOT-457

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.