BZS55B6V8 RXG Цэнаўтварэнне (USD) [2800880шт шт]
- 1 pcs$0.01321
- Частка нумар:
- BZS55B6V8 RXG
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206. Zener Diodes Zener 500mW 2% 6v8
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - JFET ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B6V8 RXG. BZS55B6V8 RXG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BZS55B6V8 RXG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BZS55B6V8 RXG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Напружанне - Зэнер (Ном) (Vz) :
6.8V
Талерантнасць :
±2%
Магутнасць - Макс :
500mW
Імпеданс (макс.) (Zzt) :
8 Ohms
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 3V
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.5V @ 10mA
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
1206 (3216 Metric)
Пакет прылад пастаўшчыка :
1206
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1N4748G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 22V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio
-
1N4749G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 24V 1W DO204AL. Zener Diodes DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% SS Zn Dio
-
BZX55B18 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 18V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 2% Sm Signal Znr Diode
-
1N5237B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 5% Sm Signal Znr Diode
-
1N5242B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 12V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 5% Sm Signal Znr Diode
-
BZX79B8V2 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35. Zener Diodes DO-35, 500mW, 2% Sm Signal Znr Diode
Гарачыя часткі
- MTZJT-779.1C
- MMSZ3V3T1
- 1N2819A
- JAN1N3017DUR-1
- 1N3994
- JANTX1N5546C-1
- JANTX1N5544C-1
- JANTXV1N5189
- JAN1N3036BUR-1
- JANTX1N4979DUS
- JANTX1N4958D
- JANTX1N4493CUS
- JAN1N2806B
- VLZ4V3A-GS18
- 1N4731 G
- 3EZ120D10/TR8
- 1PMT5923A/TR7
- CDLL5916C
- SMBG5919A/TR13
- 1N4733AW-TP
- PTV18B-E3/84A
- MAZS120GML
- MAZ8160GML
- FLZ20VB
- 1N5278A (DO-35)
- BZX79C36_T50R
- BZX55C4V3_T50A
- 1N5927BUR-1
- CDLL746A
- CDLL974
- 1N972A
- TZMB3V0-GS18
- TZS4691-GS08
- BZX84B3V3-HE3-18
- MMBZ4620-HE3-18
- TZM5240B-GS18
- TLZ43-GS08
- BZT55C68-GS08
- BZX84W-C10F
- BZX84W-C22F