Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - масівы
  5. JAN1N6674R

Microsemi Corporation - JAN1N6674R

KEY Part #: K6476055

[5891шт шт]

    Частка нумар:
    JAN1N6674R
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 500V 15A D5D.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N6674R. JAN1N6674R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6674R Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : JAN1N6674R
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : DIODE GEN PURP 500V 15A D5D
    Серыя : Military, MIL-PRF-19500/617
    Статус часткі : Active
    Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Cathode
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 500V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 15A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.55V @ 20A
    Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50µA @ 400V
    Працоўная тэмпература - развязка : 200°C (Max)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-254AA

    Апошнія навіны

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VT60M45CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V TO220.

    • V40M150CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 150V TO220.

    • VT2060CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECT SCHOTTKY 60V 10A TO-220AB.

    • VT1060CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECT SCHOTTKY 60V 5A TO-220AB.

    • VT1080CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECT SCHOTTKY 80V 5A TO-220AB.

    • VS-20CWT10FN

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK.

    Гарачыя часткі